ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИНА ОСНОВЕ СИЛИЦИДОВ ПЛАТИНЫ И НИКЕЛЯ

Авторы

  • М. И. Маркевич Государственное научное учреждение «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси», ул. Купревича, 10, 220141 Минск, Республика Беларусь Автор
  • А. М. Чапланов Государственное научное учреждение «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси», ул. Купревича, 10, 220141 Минск, Республика Беларусь Автор
  • А. Н. Малышко Государственное научное учреждение «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси», ул. Купревича, 10, 220141 Минск, Республика Беларусь Автор
  • В. А. Солодуха Открытое акционерное общество «Интеграл», ул. Казинца, 121А, 220108 Минск, Республика Беларусь Автор
  • Я. А. Соловьев Открытое акционерное общество «Интеграл», ул. Казинца, 121А, 220108 Минск, Республика Беларусь Автор
  • О. Э. Сарычев Открытое акционерное общество «Интеграл», ул. Казинца, 121А, 220108 Минск, Республика Беларусь Автор
  • Е. Н. Щербакова Белорусский национальный технический университет, пр. Независимости, 65, 220013 Минск, Республика Беларусь Автор

Ключевые слова:

диод Шоттки; тонкие плёнки; силицид платины; силицид никеля; вольт-амперные характеристики

Аннотация

Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при двухстадийном стационарном отжиге в атмосфере азота в зависимости от температуры и времени воздействия.

Табл. 5. Рис. 5. Библиогр.: 5 назв.

Загрузки

Опубликован

2016-06-01

Выпуск

Раздел

МАШИНОСТРОЕНИЕ И МАШИНОВЕДЕНИЕ